Luogo di origine: | Gli Stati Uniti |
Marca: | Micron |
Certificazione: | CE RoHS |
Numero di modello: | Micron Memory IC |
Quantità di ordine minimo: | 100pcs |
---|---|
Imballaggi particolari: | imballaggio originale |
Termini di pagamento: | T/T, Western Union, MoneyGram |
Nome di prodotto: | Circuito integrato | Marca: | Tecnologia del micron |
---|---|---|---|
Imballaggio: | Pacchetto originale | MOQ: | 100pcs |
Evidenziare: | MT29F4G08ABBFAH4-IT IC,MT46V64M8P-5B:J IC,MT29F4G16ABBDAH4-IT:D IC |
Circuito integrato Chips Electronics Components di IC di memoria del micron
Micron la Technology, Inc. è un produttore americano della memoria di computer e dell'archiviazione di dati del computer compreso la memoria dinamica a accesso casuale, la memoria flash e le chiavette USB. È acquartierato a Boise, Idaho. I suoi generi di consumo sono commercializzati sotto le marche cruciali e Ballistix. Il micron e Intel hanno creato insieme le tecnologie istantanee IM, che produce la memoria flash di NAND. Ha posseduto Lexar fra 2006 e 2017.
Noi ETSE offrire tutti i tipi di chip di IC di tecnologia del micron le componenti, DRAM CI, chip di NAND Flash, NÉ CI istantanei, chip memoria istantanei universali (UFS), regolatori di memoria ecc.
Modello no. | Descrizione | Modello no. | Descrizione |
---|---|---|---|
MT29F4G08ABBFAH4-AAT: F TR | NAND Flash SLC 4G 512MX8 FBGA | MT29F8G01ADBFD12-IT: F TR | NAND Flash SLC 8G 8GX1 TBGA DDP |
MT29F8G08ADAFAH4-AAT: F TR | NAND Flash SLC 8G 1GX8 FBGA DDP | MT29F8G01ADAFD12-IT: F TR | NAND Flash SLC 8G 8GX1 TBGA DDP |
MT29F8G01ADBFD12-AAT: F TR | NAND Flash SLC 8G 8GX1 TBGA DDP | MT29F4G08ABAFAH4-IT: F | NAND Flash SLC 4G 512MX8 FBGA |
MT29F8G08ADBFAH4-AAT: F TR | NAND Flash SLC 8G 1GX8 FBGA DDP | MT29F8G08ADBFAH4-AAT: F | NAND Flash SLC 8G 1GX8 FBGA DDP |
MT29F4G08ABBFAH4-IT: F | NAND Flash SLC 4G 512MX8 FBGA | MT29F8G01ADAFD12-AAT: F | NAND Flash SLC 8G 8GX1 TBGA DDP |
MT29F4G01ABBFD12-AAT: F TR | NAND Flash SLC 4G 4GX1 TBGA | MT29F32G08CBADBWPR: D | NAND Flash MLC 32G 4GX8 TSOP |
MT29F8G08ADAFAWP-AIT: F TR | NAND Flash SLC 8G 1GX8 TSOP DDP | MT29F64G08CBABBWPR: B | NAND Flash MLC 64G 8GX8 TSOP |
MT29F8G01ADAFD12-AAT: F TR | NAND Flash SLC 8G 8GX1 TBGA DDP | MT29F1G01ABAFDWB-IT: F | NAND Flash SLC 1G 1GX1 UPDFN |
MT29F128G08AJAAAWP-ITZ: | SLC istantaneo 128G 16GX8 TSOP QDP | MT29F2G01ABAGDWB-IT: G | NAND Flash SLC 2G 2GX1 UPDFN |
MT29F2G08ABBGAH4-IT: G TR | NAND Flash SLC 2G 256MX8 FBGA | MT29F2G08ABBGAH4-IT: G | NAND Flash SLC 2G 256MX8 FBGA |
MT29F2G01ABAGD12-IT: G TR | NAND Flash SLC 2G 2GX1 TBGA | MT29F4G16ABBDAH4-IT: D | NAND Flash SLC 4G 256MX16 FBGA |
MT29F1G01ABAFD12-AAT: F TR | NAND Flash SLC 1G 1GX1 TBGA | MT29F4G01ABAFDWB-IT: F | SLC istantaneo 4G 4GX1 UPDFN L'IT M70A |
MT29F1G01ABAFDWB-IT: F TR | NAND Flash SLC 1G 1GX1 UPDFN | MT29F8G08ABACAWP-IT: C | NAND Flash SLC 8G 1GX8 TSOP |
MT29F2G01ABAGDWB-IT: G TR | NAND Flash SLC 2G 2GX1 UPDFN | MT29F8G08ABBCAH4-IT: C | NAND Flash SLC 8G 1GX8 FBGA |
MT29F16G08ABACAWP-ITZ: C | NAND Flash SLC 16G 2GX8 TSOP | MT29F1G08ABAEAH4-ITX: E | NAND Flash SLC 1G 128MX8 FBGA |
MT29F2G01ABBGDWB-IT: G TR | NAND Flash SLC 2G 2GX1 UPDFN | MT29F1G01ABAFD12-IT: F TR | NAND Flash SLC 1G 1GX1 TBGA |
MT29F1G01ABAFDSF-AAT: F TR | NAND Flash SLC 1G 1GX1 SOIC | MT40A512M8SA-062E: F TR | DRAM DDR4 4G 512MX8 FBGA |
MT29F2G01ABAGDSF-IT: G TR | NAND Flash SLC 2G 2GX1 SOIC | MT46H16M32LFB5-6 AAT: C | DRAM Mobil RDT 512M 16MX32 FBGA |
MT40A512M16LY-062E A: E TR | DRAM DDR4 8G 512MX16 FBGA | MT40A512M16TB-062E: J TR | DRAM DDR4 8G 512MX16 FBGA |
MT40A1G16RC-062E: B | DRAM DDR4 16G 1GX16 FBGA | MT41K1G8RKB-107: P TR | DRAM DDR3 8G 1GX8 FBGA DDP |
MT40A256M16LY-062E AUT: F | DRAM DDR4 4G 256MX16 FBGA | MT41K64M16TW-107 AUT: J | DRAM DDR3 1G 64MX16 FBGA |
MT53D512M32D2DS-053 AIT: D | DRAM LPDDR4 16G 512MX32 FBGA DDP | MT53E768M32D4DT-053 AIT: E | DRAM LPDDR4 24G 768MX32 FBGA AIT QDP |
PESO MT53D1024M32D4DT-046: D | PESO QDP di DRAM LPDDR4 32G 1GX32 FBGA | PESO MT53D512M32D2DS-053: D | DRAM LPDDR4 16G 512MX32 FBGA DDP |
MT48LC8M16A2B4-6A AAT: L | DRAM SDRAM 128M 8MX16 FBGA | MT46V64M8P-5B: J | DRAM RDT 512M 64MX8 TSOP |
MT47H32M16NF-25E: H | DRAM DDR2 512M 32MX16 FBGA | MT46V32M16P-5B: J | DRAM RDT 512M 32MX16 TSOP |
MT48LC4M16A2P-6A L'IT: J | DRAM SDRAM 64M 4MX16 TSOP | MT41K64M16TW-107 L'IT: J | DRAM DDR3 1G 64MX16 FBGA |
MT46H32M16LFBF-5 L'IT: C | DRAM RDT mobile 512M 32MX16 FBGA | MT48LC8M16A2P-6A: L | DRAM SDRAM 128M 8MX16 TSOP |
MT41K128M16JT-125 AIT: K | DRAM DDR3 2G 128MX16 FBGA | MT48LC16M16A2P-6A: G | DRAM SDRAM 256M 16MX16 TSOP |
MT48LC16M16A2B4-6A L'IT: G | DRAM SDRAM 256M 16MX16 FBGA | MT48LC4M32B2P-6A: L | DRAM SDRAM 128M 4MX32 TSOP |
MT48LC4M32B2B5-6A XIT: L | DRAM SDRAM 128M 4MX32 FBGA | MT41K256M16TW-107 XIT: P | DRAM DDR3 4G 256MX16 FBGA |
MT48LC16M16A2B4-6A AIT: G | DRAM SDRAM 256M 16MX16 FBGA | MT46H16M32LFB5-5 L'IT: C | DRAM RDT mobile 512M 16MX32 FBGA |
MT41K64M16TW-107 AIT: J | DRAM DDR3 1G 64MX16 FBGA | MT48LC4M32B2P-6A L'IT: L TR | DRAM SDRAM 128M 4MX32 TSOP |
MTFC64GASAONS-AIT | USSD istantaneo 512G di stoccaggio (UFS) | MTFC32GASAONS-IT | USSD istantaneo 256G di stoccaggio (UFS) |
MTFC32GASAONS-AAT | USSD istantaneo 256G di stoccaggio (UFS) | MTFC128GARATEK-WT | Stoccaggio istantaneo universale (UFS) UFS 1T |
MTFC128GASAONS-AIT | USSD istantaneo universale 1T di stoccaggio (UFS) | MTFC64GASAONS-AAT | uSSD istantaneo universale 512G di stoccaggio (ufs) |
MTFC256GASAONS-IT | USSD istantaneo universale 2T di stoccaggio (UFS) | MTFC512GARATAM-WT | Stoccaggio istantaneo universale (UFS) UFS 4T |
MTFC32GASAONS-IT TR | uSSD istantaneo universale 256g di stoccaggio (ufs) | MTFC32GASAONS-AIT TR | uSSD istantaneo universale 256g di stoccaggio (ufs) |
MTFC128GAVATTC-AIT TR | Stoccaggio istantaneo universale UFS 1T LFBGA | MTFC512GARATAM-WT TR | Stoccaggio istantaneo universale (UFS) UFS 4T |
MT25QL256ABA8E12-0AUT | NÉ FLASH di SPI istantaneo NÉ SLC 64MX4 TBGA | MT25QL128ABB1ESE-0AUT | NÉ DI SERIE NÉ SLC istantaneo 32MX4 SOIC |
MT25QL01GBBB1EW9-0SIT | NÉ FLASH di SPI istantaneo NÉ SLC 256MX4 WPDFN DDP | MT25QL01GBBB8ESF-0SIT | NÉ FLASH di SPI istantaneo NÉ SLC 256MX4 SOIC DDP |
MT25QU512ABB8ESF-0AAT | NÉ FLASH di SPI istantaneo NÉ SLC 128MX4 SOIC | MT28EW512ABA1HJS-0AAT | NÉ FLASH di EW-SERIES istantaneo NÉ SLC 32MX16 TSOP |
MT28EW128ABA1LJS-0SIT | NÉ FLASH di EW-SERIES istantaneo NÉ SLC 8MX16 TSOP | MT28EW128ABA1HPC-0SIT | NÉ FLASH di EW-SERIES istantaneo NÉ SLC 8MX16 LBGA |
MT25QL256ABA8E12-1SIT | NÉ FLASH di SPI istantaneo NÉ SLC 64MX4 TBGA | MT28EW256ABA1LPC-0SIT | NÉ FLASH di EW-SERIES istantaneo NÉ SLC 16MX16 LBGA |
MT28EW01GABA1HPC-0SIT | NÉ FLASH di EW-SERIES istantaneo NÉ SLC 64MX16 LBGA | MTEDDGR008MCB-1R2 | Regolatori MassFlash/regolatore 257G BGA di memoria |
MTEDFBR004SCA-1P2IT | NAND diretto SLC 4GB EUSBSSD VBGA | MTEDDGR008MCB-1R2 TR | Regolatori MassFlash/regolatore 257G BGA di memoria |
MTEDFAE004SCA-1P2 | NAND diretto SLC 4GB EUSBSSD VBGA | MTEDCAE008SAJ-1N2IT | NAND diretto SLC 8GB EUSBSSD TSOP |
MTFC8GAMALHT-AIT | NAND diretto MASSFLASH/CONTROLLER 64G | MTEDCAR004SAJ-1N2 | NAND diretto SLC 4GB EUSBSSD TSOP |
ETSE anche comprare ci riforniamo in quantità eccessiva, eccedenza, prodotti in eccesso e interrotti ed inventario obsoleto di elettronica. Siamo interessati in tutti i tipi di CI, in condensatori ed in tutte le altre componenti che di elettronica potete avere per un magazzino di sconto.
Persona di contatto: sales
Elettronica IC di NTE1009 NTE1043 NTE1181 NTE1162 Digital
Chip di IC di memoria flash di TMPM380FWFG TMP86P808DM TMPM4G9F15FG-DBB
Chip di IC di memoria flash del NEC 8255AC-5 D1990AC NC7SZ08P5X
Micron MT29F4G08ABBFAH4-IT MT46V64M8P-5B: Chip di IC di memoria flash di J
ISL83491IBZ ISL95810UIU8Z X9C503SZ ICS analogico