Name: Chip di IC di memoria flash di H5PS5162FFR-G7C H5PS1G63JFR-Y5J H5TQ4G63CFR-TEC
Brand: Hynix
SKU: IC di memoria Hynix

Casa Prodotti Chip di IC di memoria flash

Chip di IC di memoria flash di H5PS5162FFR-G7C H5PS1G63JFR-Y5J H5TQ4G63CFR-TEC

H5PS5162FFR-G7C H5PS1G63JFR-Y5J H5TQ4G63CFR-TEC Flash Memory IC Chip

Dettagli:

Luogo di origine:	Corea del Sud, Cina
Marca:	Hynix
Certificazione:	CE RoHS
Numero di modello:	IC di memoria Hynix

Termini di pagamento e spedizione:

Quantità di ordine minimo:	100pcs
Termini di pagamento:	T/T, Western Union, MoneyGram

Contatto

Descrizione di prodotto dettagliata

Nome di prodotto:

Circuito integrato

Marca:

SK Hynix

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MOQ:

100pcs

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H5PS5162FFR-G7C

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H5TQ4G63CFR-TEC

Memoria IC di SK Hynix

Circuito integrato Chips Electronics Components di IC di memoria di SK Hynix

Il hynix inc di SK è un fornitore sudcoreano a semiconduttore di memoria dei chip di memoria dinamica a accesso casuale e dei chip di memoria flash. Hynix è il chipmaker secondo più esteso della memoria del mondo e la società a semiconduttore del 3rd-largest del mondo. Fondato come Hyundai Co. industriale elettronico, la srl nel 1983 e conosciuto come elettronica di Hyundai, la società ha siti produttivi in Corea, negli Stati Uniti, in Cina e Taiwan. Nel 2012, quando SK Telecom ha stato bene al suo azionista principale, Hynix si è fuso al gruppo di SK.

Noi ETSE offrire tutti i tipi di componenti di IC del hynix di SK, quale IC digitale, IC analogico, amplificatore IC, suono IC della TV ecc.

Hynix IC di SK
Modello no.	Descrizione	Modello no.	Descrizione
HY5PS1G1631CFP-Y5C	64M x 16 RDT DRAM, PBGA84	HY62256ALP-70	RAM statico, 32Kx8, 28 Pin, di plastica, DIP28
HY57V641620ETP-6	SDRAM, 4M x 16, 54 Pin, di plastica, TSOP54	H5TQ2G83BFR-H9C	256M x 8 RDT DRAM, 20 NS, PBGA82
HY57V161610FTP-7	1M x 16 DRAM SINCRONO, 5,4 NS, PDSO50	H5TQ1G63EFR-PBC	LA RDT DRAM, 64MX16, CMOS, PBGA96
H5TQ4G63CFR-TEC	Chip di DRAM DDR3 SDRAM 4G-Bit 256Mx16 1.5V 96-Pin F-BGA	H5TC2G63GFR-PBA	Chip di DRAM DDR3L SDRAM 2G-Bit 128Mx16 1.35V 96-Pin F-BGA
H5TQ2G63DFR-PBC	SDRAM, DDR3, 2GB (X16), 96FBGA	H5TQ1G63DFR-11C	64M x 16 RDT DRAM, PBGA96
H5PS5162GFR-Y5J	LA RDT DRAM, 32MX16, 0.45NS, CMOS, PBGA84	H5TQ1G63DFR-H9C	64M x 16 RDT DRAM, PBGA96
H5PS5162FFR-Y5C	32M x 16 RDT DRAM, 0,45 NS, PBGA84	H5PS5162GFR-S6C	SDRAM, DDR2, 512MB (X16), 84FBGA
H5PS5162FFR-G7C	LA RDT DRAM, 32MX16, 0.35NS, CMOS, PBGA84	H5PS1G83JFR-S6C	SDRAM, DDR2, 1G (128MX8), 60FBGA
H5PS1G83EFR-G7CR	Chip di DRAM DDR2 SDRAM 1.8V 60-Pin FBGA di 1G-Bit 128M x 8	H5PS1G63KFR-S6C	Chip di DRAM DDR2 SDRAM 1G-Bit 64Mx16 1.8V 84-Pin FBGA
H5PS1G63JFR-S5C	SDRAM, memoria CI, 1GB (X16), 84FBGA - sincrono, configurazione di DDR2 DRAM di memoria di DRAM: 64M x 16bit, tempo di Access: -, Dimensione di pagina: 16Kbit, no. dei perni: 84Pins	H5PS1G63EFR-S5C-C	Chip di DRAM DDR2 SDRAM 1.8V 84-Pin FBGA di 1G-Bit 64M x 16
H5AN4G6NAFR-UHC	Chip di DRAM DDR4 SDRAM 4G-Bit 256Mx16 1.2V 96-Pin F-BGA	H5PS1G63EFR-Y5C	LA RDT DRAM, 64MX16, 0.45NS, CMOS, PBGA84
H5PS1G63JFR-Y5J	LA RDT DRAM, 64MX16, 0.45NS, CMOS, PBGA84	H5PS1G63EFR-S6C	SDRAM, DDR2, 1GB (X16), 84FBGA
H5PS1G63JFR-G7C	LA RDT DRAM, 64MX16, 0.35NS, CMOS, PBGA84	H55S5122EFR-60M	SDRAM, cellulare, 512MB, 166MHZ, 90FBGA
H27U1G8F2BFR-BC	NAND Flash Serial 3.3V 1Gbit 128M x 8bit 25000ns 63-Pin FBGA	H9TP18A8LDMCNR-KDM	Componenti elettronici CI

ETSE anche comprare ci riforniamo in quantità eccessiva, eccedenza, prodotti in eccesso e interrotti ed inventario obsoleto di elettronica. Siamo interessati in tutti i tipi di CI, in condensatori ed in tutte le altre componenti che di elettronica potete avere per un magazzino di sconto.

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