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Chip di IC di memoria flash di H5PS5162FFR-G7C H5PS1G63JFR-Y5J H5TQ4G63CFR-TEC

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    • H5PS5162FFR-G7C H5PS1G63JFR-Y5J  H5TQ4G63CFR-TEC Flash Memory IC Chip
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    Dettagli:

    Luogo di origine: Corea del Sud, Cina
    Marca: Hynix
    Certificazione: CE RoHS
    Numero di modello: IC di memoria Hynix

    Termini di pagamento e spedizione:

    Quantità di ordine minimo: 100pcs
    Termini di pagamento: T/T, Western Union, MoneyGram
    Contatto
    Descrizione di prodotto dettagliata
    Nome di prodotto: Circuito integrato Marca: SK Hynix
    Imballaggio: Pacchetto originale MOQ: 100pcs
    Evidenziare:

    H5PS5162FFR-G7C

    ,

    H5PS1G63JFR-Y5J

    ,

    H5TQ4G63CFR-TEC

    Memoria IC di SK Hynix

    Circuito integrato Chips Electronics Components di IC di memoria di SK Hynix

     

    Il hynix inc di SK è un fornitore sudcoreano a semiconduttore di memoria dei chip di memoria dinamica a accesso casuale e dei chip di memoria flash. Hynix è il chipmaker secondo più esteso della memoria del mondo e la società a semiconduttore del 3rd-largest del mondo. Fondato come Hyundai Co. industriale elettronico, la srl nel 1983 e conosciuto come elettronica di Hyundai, la società ha siti produttivi in Corea, negli Stati Uniti, in Cina e Taiwan. Nel 2012, quando SK Telecom ha stato bene al suo azionista principale, Hynix si è fuso al gruppo di SK.

     

    Noi ETSE offrire tutti i tipi di componenti di IC del hynix di SK, quale IC digitale, IC analogico, amplificatore IC, suono IC della TV ecc.

     

    Hynix IC di SK
    Modello no. Descrizione Modello no. Descrizione
    HY5PS1G1631CFP-Y5C 64M x 16 RDT DRAM, PBGA84 HY62256ALP-70 RAM statico, 32Kx8, 28 Pin, di plastica, DIP28
    HY57V641620ETP-6 SDRAM, 4M x 16, 54 Pin, di plastica, TSOP54 H5TQ2G83BFR-H9C 256M x 8 RDT DRAM, 20 NS, PBGA82
    HY57V161610FTP-7 1M x 16 DRAM SINCRONO, 5,4 NS, PDSO50 H5TQ1G63EFR-PBC LA RDT DRAM, 64MX16, CMOS, PBGA96
    H5TQ4G63CFR-TEC Chip di DRAM DDR3 SDRAM 4G-Bit 256Mx16 1.5V 96-Pin F-BGA H5TC2G63GFR-PBA Chip di DRAM DDR3L SDRAM 2G-Bit 128Mx16 1.35V 96-Pin F-BGA
    H5TQ2G63DFR-PBC SDRAM, DDR3, 2GB (X16), 96FBGA H5TQ1G63DFR-11C 64M x 16 RDT DRAM, PBGA96
    H5PS5162GFR-Y5J LA RDT DRAM, 32MX16, 0.45NS, CMOS, PBGA84 H5TQ1G63DFR-H9C 64M x 16 RDT DRAM, PBGA96
    H5PS5162FFR-Y5C 32M x 16 RDT DRAM, 0,45 NS, PBGA84 H5PS5162GFR-S6C SDRAM, DDR2, 512MB (X16), 84FBGA
    H5PS5162FFR-G7C LA RDT DRAM, 32MX16, 0.35NS, CMOS, PBGA84 H5PS1G83JFR-S6C SDRAM, DDR2, 1G (128MX8), 60FBGA
    H5PS1G83EFR-G7CR Chip di DRAM DDR2 SDRAM 1.8V 60-Pin FBGA di 1G-Bit 128M x 8 H5PS1G63KFR-S6C Chip di DRAM DDR2 SDRAM 1G-Bit 64Mx16 1.8V 84-Pin FBGA
    H5PS1G63JFR-S5C SDRAM, memoria CI, 1GB (X16), 84FBGA - sincrono, configurazione di DDR2 DRAM di memoria di DRAM: 64M x 16bit, tempo di Access: -, Dimensione di pagina: 16Kbit, no. dei perni: 84Pins H5PS1G63EFR-S5C-C Chip di DRAM DDR2 SDRAM 1.8V 84-Pin FBGA di 1G-Bit 64M x 16
    H5AN4G6NAFR-UHC Chip di DRAM DDR4 SDRAM 4G-Bit 256Mx16 1.2V 96-Pin F-BGA H5PS1G63EFR-Y5C LA RDT DRAM, 64MX16, 0.45NS, CMOS, PBGA84
    H5PS1G63JFR-Y5J LA RDT DRAM, 64MX16, 0.45NS, CMOS, PBGA84 H5PS1G63EFR-S6C SDRAM, DDR2, 1GB (X16), 84FBGA
    H5PS1G63JFR-G7C LA RDT DRAM, 64MX16, 0.35NS, CMOS, PBGA84 H55S5122EFR-60M SDRAM, cellulare, 512MB, 166MHZ, 90FBGA
    H27U1G8F2BFR-BC NAND Flash Serial 3.3V 1Gbit 128M x 8bit 25000ns 63-Pin FBGA H9TP18A8LDMCNR-KDM Componenti elettronici CI


    ETSE anche comprare ci riforniamo in quantità eccessiva, eccedenza, prodotti in eccesso e interrotti ed inventario obsoleto di elettronica. Siamo interessati in tutti i tipi di CI, in condensatori ed in tutte le altre componenti che di elettronica potete avere per un magazzino di sconto.

     

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    Shenzhen E-Top Semiconductor equipment Co., Ltd

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